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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36969
> 試題詳解
14 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7V,且導通電阻值為 0Ω,若 V
i
為 + 2V,下列敘述何者正確?
(A)電阻上之電流為 3.3mA
(B)V
o
為 3.7V
(C)V
o
為-2.7V
(D)電阻上之電流為 0
答案:
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統計:
A(4), B(4), C(15), D(115), E(0) #1066899
詳解 (共 1 筆)
我只是略懂
B1 · 2016/11/21
#1522152
根本都不通 所以VO=VI 電流等於零
8
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/22
私人筆記#7661619
未解鎖
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1
0
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15 圖示理想運算放大器電路中,Vi為輸入電壓及 Vo為輸出電壓,本電路為: (A)濾波電路 (B)箝位電路 (C)截波電路 (D)峰值偵測電路
#1066900
16 圖示理想二極體電路中,若輸入 Vi為弦波,峰值電壓 5V,下列何者為 Vo的波形?
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17 欲使 PN 二極體被順向偏壓,則應將: (A)PN 短路 (B)P 加正電壓,N 加負電壓 (C)P 加負電壓,N 加正電壓 (D)PN 開路
#1066902
18 圖示 BJT 放大器,若圖中電流源 I 為主動負載,今若 I 變為原有之 4 倍,則電壓增益 Vo/Vi: (A)變為原來的 16 倍 (B)變為原來的 4 倍 (C)變為原來的 2 倍 (D)不變
#1066903
19 圖示之電路若電晶體操作於飽和區,下列何種方式可使電晶體進入主動區? (A)減少 RB (B)增加 RC (C)減少 Ib (D)減低 C2
#1066904
20 在雙極接面電晶體的共射(CE),共基(CB),共集(CC)三種組態中,何者之電壓增益小於 1? (A)CE (B)CB (C)CC (D)CE 及 CB
#1066905
21 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 1V、μnCox(W/L)= 25μA/V2 ,今若其源極(Source)電壓 0.5V,閘極(Gate)電壓 2.5V,汲極(Drain)電壓 2V,則此電晶體工作在: (A)飽和區(Saturation Region) (B)截止區(Cutoff Region) (C)三極體區(Triode Region) (D)直線區(Linear Region)
#1066906
22 一個增強型 N 通道 MOS 電晶體,其臨限電壓為 Vt,當操作於飽和區時,其汲源間之電壓 VDS最小應為: (A)VDS = VGS (B)VDS =Vt (C)VDS = VGS -Vt (D)VDS = VGS +Vt
#1066907
23 圖中電晶體電路集極端的直流工作點約為何? (A)IC=5.20mA,VCE=3.2V (B)IC=2.35mA,VCE=6.8V (C)IC=4.10mA,VCE=2.4V (D)IC=2.80mA,VCE=5.6V
#1066908
24 如圖示為 MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation-mode)之 π 型小訊號等效電路,其中電晶體的輸出電阻 ro與汲極電流 ID的關係約為: (A)ro正比於 1/ID (B) ro正比於 (C)ro正比於 (D)ro正比於 ID
#1066909
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