試題詳解

21 某增強型 NMOS 場效電晶體的 V_t = 1V、μ_nC_ox(W/L)= 25μA/V² ，今若其源極（Source）電壓 0.5V，閘極（Gate）電壓 2.5V，汲極（Drain）電壓 2V，則此電晶體工作在：
(A)飽和區（Saturation Region）
(B)截止區（Cutoff Region）
(C)三極體區（Triode Region）
(D)直線區（Linear Region）