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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#28882
> 試題詳解
20 空乏型 n-MOSFET，下列何種偏壓將使元件不導通？
(A)V
GS
>> 0
(B) V
GS
> 0
(C) V
GS
= 0
(D) V
GS
<< 0
答案：
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統計：
A(9), B(5), C(10), D(113), E(0) #979453
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/19
私人筆記#7651891
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23 一個空乏型的 n-MOSFET，其 Vt = -1 V，請問當 VGS為下列何值時，會有通道？ (A) 0 V(B) -1 V(C) -2 V(D) -3 V
#979456
24 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極 B 之電壓為 3 V，射極 E 的電壓 2.3 V，集 極 C 電壓 2.4 V，請問此電晶體在何工作區？ (A)主動區（Active region）(B) 飽和區（Saturation region） (C)截止（Cutoff）(D) 逆向主動區（Reverse active region）
#979457
25 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A)若電晶體操作於主動區，其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大 (B)若電晶體操作於飽和區，其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於主動區時為大 (C)若電晶體操作於主動區時，其電流增益 ic /ib較操作於飽和區時為大 (D)爾利電壓 VA（Early voltage）與電晶體操作於主動區時之輸出阻抗成反比
#979458
26 一般 MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性輸入阻抗較低的是那一種？ (A)共源極 (B)共汲極(C) 共閘極 (D)具源極電阻之共源極
#979459
27 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區， mA/V 2，λ = 0，CGS = 15 pF，CGD = 4 pF 且 VGS – VTH = 350 mV，求輸出端之 -3dB 頻率為何？ (A) 7.9 MHz(B) 17.9 MHz(C) 27.9 MHz(D) 37.9 MHz
#979460
28 圖示電路中場效電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 0.125 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電阻 RD的最大值 為若干 kΩ？ (A) 0.5(B) 1(C) 1.5(D) 2
#979461
29 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之 gm = 0.5 mA/V，VA = ∞，RD = 5 kΩ，則此放大器的輸出電阻 Ro為： (A) 0(B) 2 kΩ(C) 5 kΩ(D) ∞
#979462
30 若 Acm為差動放大器的共模增益（Common-mode gain），Ad為其差模增益（Differential-mode gain），其 CMRR （Common-mode rejection ratio）定義為： (A) (B) (C) (D)
#979463
31 如圖所示為一 BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1 = Q2，並設工作於主動模式（active-mode）。當 VB1 = VB2 = 0 V 時，射極電壓 VE為何？ (A) 0 V (B)-0.7 V(C)(D)
#979464
32 若某一放大器之最大電壓增益為 100，則在-3dB 頻率點的電壓增益為多少？ (A)141.4(B) 70.7(C) 63.6 (D)50
#979465
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