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初等/五等/佐級◆電子學大意
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101年 - 101 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28930
> 試題詳解
3 在材料實驗室新領到 MOSFET IC 時,常見到此 IC 腳擺置在 IC 套管內,其主要目的是:
(A)增加價值感
(B)證明它是新品
(C)避免因靜電而遭破壞
(D)增加美觀
答案:
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統計:
A(1), B(5), C(389), D(2), E(0) #979556
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/19
#1195064
@@"傻眼 可能上一題坑人坑得太嚴重了這...
(共 27 字,隱藏中)
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其他試題
39.依「船舶法」之規定,船舶合於法定規定之一者,得申請登記為中華民國船舶。其中有一規定 是:依中華民國法律設立,在中華民國有「本公司」之四種公司所有者。有關此四種公司之規定 敘述,下列何者錯誤? (A) 股份有限公司,其董事長及董事三分之二以上為中華民國國民,並其資本二分之一 以上為中華民國國民所有者 (B)股份有限公司,若其船舶行駛國際航線者,其中華民國國民所有資本及所擔任董事之人數為二 分之一以上 (C)兩合公司,其無限責任股東全部之中華民國國民者 (D)有限公司,資本三分之二以上為中華民國國民所有,其代表公司之董事為中華民國國民者。但 其船舶行駛國際航線者,其中華民國國民所有資本為二分之一以上
#979552
40.依「船員服務規則」之規定,船員要受「降級」或「收回船員服務手冊」處分,下列何者不屬 之? (A)疏失職務,其情節較重者 (B) 違反航行安全規章而致災害損失者 (C)在船滋事傷人者 (D)以暴力施加船員對船上安全構成威脅者
#979553
1 如下圖所示之差動放大器,其輸出電壓Vo將與下列何種訊號成正比? (A)V1 (B)V2 (C)V1+V2 (D)V1-V2 .
#979554
2 如下圖之MOS差動放大器(Differential Amplifier), Q1=Q 2 ,其臨界電壓(Threshold Voltage)v t = 0.5V ,爾利電壓(Early Voltage)VA→ ∞ 。當 VG1 =VG2 =0 時,若電晶體工作於飽和模式 (Saturation Mode),其汲極電流ID與閘源電壓 的關係為 ID =2(VGS-Vt)2 (mA)。則輸入之 共模電壓(Common-mode Voltage)VCM之最大值可為多大,而仍可維持電晶體工作於飽和模式? (A) 0.5 V (B) 1 V (C) 1.5 V (D) 2 V.
#979555
4 在下列各選項中,那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓(Threshold Voltage)Vt的影響最小:(A)通道的寬長比 W/L (B)氧化層的介電常數εαx (C)氧化層的厚度tox (D)半導體的雜質濃度 N
#979557
5 某 FET 工作在飽和區(Saturation Region),其 iD- VGS關係如下圖所示,則此 FET 為: (A)增強型 NMOS (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS
#979558
6 如下圖所示之放大器,若電晶體操作於三極管區(Triode Region),下列何種調整方式可使電晶體進 入飽和區(Saturation Region)? VDD (A)增加 R1 (B)增加 Vb (C)選用寬長比(W/L)較大之 MOSFET (D)增加 R2
#979559
7 如下圖電路,設二極體為理想二極體。則此電路的輸出電壓Vo為何? (A) 5 V (B) 4 V (C) 3 V (D) 2 V
#979560
8 利用三用電錶電阻量測功能來測量二極體,無論測試棒如何接法,指針的指示值均為高值,則表示 此二極體的狀況最可能是: (A)正常 (B)短路 (C)斷路 (D)無法判斷
#979561
9 關於 P-N 接面二極體之敘述,下列何者錯誤? (A) P 型區域為加入三價雜質 (B) N 型區中空乏區離子帶負電 (C)順向偏壓時擴散電容增加 (D)逆向偏壓時空乏電容減少
#979562