7 如圖所示為一主動低通電路，R1 = 2 kΩ、R2 = 2 kΩ、R3 = 12 kΩ、C1 = 0.01μF，則高頻截止頻率約為： (A) 2 kHz (B) 4 kHz (C)8 kHz (D) 16 kHz

7 如圖所示為一主動低通電路，R₁ = 2 kΩ、R₂ = 2 kΩ、R₃ = 12 kΩ、C₁ = 0.01μF，則高頻截止頻率約為：

(A) 2 kHz
(B) 4 kHz
(C)8 kHz
(D) 16 kHz

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統計： A(3), B(3), C(93), D(6), E(0) #852635

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pole~zero

B1 · 2015/12/02

#1210540

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16 對於動態隨機存取記憶體（DRAM）與靜態隨機存取記憶體（SRAM）工作方式比較的敘述，下列何者正確？ (A) DRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）會隨時間變化 (B) DRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構可隨時調整 (C) SRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）在無電源供應情形下也能靜態維持準位 (D) SRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構在無電源供應情形下也能靜態維持不變

7 如圖所示為一主動低通電路，R₁ = 2 kΩ、R₂ = 2 kΩ、R₃ = 12 kΩ、C₁ = 0.01μF，則高頻截止頻率約為：

(A) 2 kHz
(B) 4 kHz
(C)8 kHz
(D) 16 kHz

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