12 一 CMOS inverter 如圖所示，當輸入電壓 VI = 0 時，則輸出電壓 VO約為： (A) VDD (B) VDD-|Vt| (C) VDD/2 (D) 0

12 一 CMOS inverter 如圖所示，當輸入電壓 V_I = 0 時，則輸出電壓 V_O約為：

(A) V_DD
(B) V_DD-|Vt|
(C) V_DD/2
(D) 0

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統計： A(42), B(7), C(6), D(3), E(0) #852640

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pole~zero

B1 · 2015/12/02

#1209923

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16 對於動態隨機存取記憶體（DRAM）與靜態隨機存取記憶體（SRAM）工作方式比較的敘述，下列何者正確？ (A) DRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）會隨時間變化 (B) DRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構可隨時調整 (C) SRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）在無電源供應情形下也能靜態維持準位 (D) SRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構在無電源供應情形下也能靜態維持不變

12 一 CMOS inverter 如圖所示，當輸入電壓 V_I = 0 時，則輸出電壓 V_O約為：

(A) V_DD
(B) V_DD-|Vt|
(C) V_DD/2
(D) 0

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