試題詳解

8 有一 n 通道的 MOS 電晶體，其 μ_nC_ox = 50 μA/V² ，V_T,on = 1.0 V，λ_n =(0.1/L)V^-1 ，其中 L 的單位為 μm， 若 W = 10 μm，L = 10 μm，V_DS = 4 V，試求欲使 g_m = 50 μA/V，則 V_GS應為多少？
(A)5 V
(B)4 V
(C)3 V
(D)2 V