阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090
> 試題詳解
試題詳解
試卷:
99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090
年份:
99年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
4 下列有關 p-n 接面二極體之敘述何者正確?
(A)摻雜濃度越高,空乏區寬度越大
(B)擴散電容(Diffusion Capacitance)是逆向偏壓時所注入的少數載子(minority carrier)所造成的
(C) P 型材料的空乏區中是帶正電且不可移動的離子
(D)外加逆向偏壓愈大,接面電容愈小
正確答案:
登入後查看
詳解 (共 1 筆)
yo
B1 · 2019/06/04
推薦的詳解#3394172
未解鎖
逆向偏壓愈大,空乏區越大(電容d越大)=...
(共 31 字,隱藏中)
前往觀看
12
0