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試題詳解

試卷:99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090

年份:99年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

4 下列有關 p-n 接面二極體之敘述何者正確?
(A)摻雜濃度越高,空乏區寬度越大
(B)擴散電容(Diffusion Capacitance)是逆向偏壓時所注入的少數載子(minority carrier)所造成的
(C) P 型材料的空乏區中是帶正電且不可移動的離子
(D)外加逆向偏壓愈大,接面電容愈小
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詳解 (共 1 筆)

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未解鎖
逆向偏壓愈大,空乏區越大(電容d越大)=...
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