2 對於場效電晶體(FET),下列敘述何者錯誤?
(A)是屬於電壓控制的元件
(B)所有類型的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)都需外加閘極電壓才會有通道存在
(C)接面場效電晶體(JFET)不需外加閘極電壓就已經有通道存在
(D)閘極(Gate)與源極(Source)間的直流電阻相當高
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統計: A(2), B(137), C(12), D(5), E(0) #1719211
統計: A(2), B(137), C(12), D(5), E(0) #1719211
詳解 (共 2 筆)
#5911419
增強型(Enhancement-mode)MOSFET:這種類型的MOSFET在沒有閘極電壓的情況下不會有通道存在。當閘極電壓達到一定值時,會在閘極和源極之間形成一個導通的通道,允許電流流動。
耗尽型(Depletion-mode)MOSFET:與增強型不同,耗尽型MOSFET在沒有閘極電壓的情況下就存在一個導通的通道。通過施加閘極電壓,可以減小或關閉這個通道。
這兩種類型的MOSFET在設計和應用上有許多不同之處,選擇使用哪一種取決於特定的需求和應用。增強型MOSFET通常在數位邏輯和開關應用中更常見,而耗尽型MOSFET則在一些模擬應用中可能更受歡迎。
耗尽型(Depletion-mode)MOSFET:與增強型不同,耗尽型MOSFET在沒有閘極電壓的情況下就存在一個導通的通道。通過施加閘極電壓,可以減小或關閉這個通道。
這兩種類型的MOSFET在設計和應用上有許多不同之處,選擇使用哪一種取決於特定的需求和應用。增強型MOSFET通常在數位邏輯和開關應用中更常見,而耗尽型MOSFET則在一些模擬應用中可能更受歡迎。
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#5225294
選項D 是因為G和S絕緣所以電阻很大嗎 ?
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