阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入
試卷名稱：106年 - 106 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#67133
年份：106年
科目：初等/五等/佐級◆電子學大意
3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度， 此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V， VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？
(A)由右向左水平流動
(B)由左向右水平流動
(C)由上往下垂直流動
(D)由下往上垂直流動
