29 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源極（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS = 2 V 時，求使此電晶體仍工作於飽和區之 VDS最小值為何？ (A)0.5 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V

29 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源極（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界電壓 V_t= 0.5 V。當 V_GS= 2 V 時，求使此電晶體仍工作於飽和區之 VDS最小值為何？
(A)0.5 V
(B)1 V
(C)1.5 V
(D)2 V

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統計： A(12), B(3), C(111), D(1), E(0) #1719238

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Alice

2025/11/25

私人筆記#7589024

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3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V， VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？ (A)由右向左水平流動 (B)由左向右水平流動 (C)由上往下垂直流動 (D)由下往上垂直流動

29 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源極（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界電壓 V_t= 0.5 V。當 V_GS= 2 V 時，求使此電晶體仍工作於飽和區之 VDS最小值為何？
(A)0.5 V
(B)1 V
(C)1.5 V
(D)2 V

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