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初等/五等/佐級◆電子學大意
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106年 - 106 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#67133
> 試題詳解
29 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源極(CS)放大器,該 MOSFET 之臨界電壓 V
t
= 0.5 V。當 V
GS
= 2 V 時,求使此電晶體仍工作於飽和區之 VDS最小值為何?
(A)0.5 V
(B)1 V
(C)1.5 V
(D)2 V
答案:
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統計:
A(12), B(3), C(111), D(1), E(0) #1719238
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/25
私人筆記#7589024
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其他試題
25 具有臨界電壓 Vth = 1.5 V 且 μnCox(W/L) = 1 mA/V2的增強型 MOSFET 放大器中,電晶體的輸出直流 電壓為 VDSQ = 5 V,直流電源 VGG約為多少? (A)2.5 V (B)3.5 V (C)5 V (D)5.5 V
#1719234
26 臨界電壓 Vth = 1.5 V 的增強型 MOSFET 所構成如圖之放大器中,流經 R2 = 50 kΩ 及 1.5 kΩ 的直流偏 壓電流分別為 0.15 mA 及 4 mA,該放大器的小信號電壓增益為何? (A)-100 (B)-50 (C)-20 (D)-6
#1719235
27 下列何者並非使用差動對放大器的好處? (A)可降低外界的雜訊干擾 (B)可減少偏壓電路所需之大電容及大電阻 (C)適合於積體電路的應用 (D)可減少電路所需的電晶體數目
#1719236
28 如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation mode)之 π 型小訊號等效電路,其中參數轉導 gm與 汲極電流 ID的關係約為:(A)gm正比於 1/ID (B)gm正比於1/(C)gm正比於 (D)gm正比於 ID
#1719237
30 如圖示電路,VCC = +10 V,RB1 = 200 kΩ,RB2 = 200 kΩ,RC = 5 kΩ,RE = 1 kΩ,電晶體電流放大 率 β = 100,則此電晶體工作在: (A)截止區 (B)主動區(active region) (C)飽和區(saturation region) (D)逆向主動區(reverse active region)
#1719239
31 如圖所示為一波形產生電路,該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器 C 處於放電狀態, 則在此瞬時間,下列那一敘述為正確?其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 12 V。 (A)vO = 12 V (B)Vf = -4 V (C)vC = 6 V (D)iR = 1.2 mA
#1719240
32 三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示,並且測得其輸出頻率為 f,則下列那一種組合的 改變可使其輸出頻率為原來的 4 倍=4f?兩 OPA 可視為理想。 (A)R1增為 2 倍、R2增為 2 倍 (B)R 減半、R1減半 (C)C 減半、R2減半 (D)C 減為四分之一、R 增為 2 倍
#1719241
33 由 β1 = 80 及 β2 = 100 的電晶體 Q1 及 Q2 所構成 RC 串級放大電路如圖,第 1、第 2 單級放大電路的 基極直流偏壓電流 IB1 與 IB2均為 25 μA,且測得 Ri2 = 4 kΩ,決定該串級放大電路的總電壓增益大小 約為多少?熱電壓 VT = 25 mV。 (A)64 (B)80 (C)124 (D)160
#1719242
34 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的 β = 100,VBEactive = 0.7 V,忽略爾利效應。VT = 25 mV, 求低頻 3 dB 頻率(選最接近之值)? (A)15.9 Hz (B)100 Hz (C)3.18 kHz (D)20 kHz
#1719243
35 如圖雙穩態電路,其 R1 = 10 kΩ 且 R2 = 20 kΩ,若在 t =0 時輸出電壓 vo 飽和在-10 V;當在 t>0 時, 輸出電壓 vo突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V;試問在 t > 0 時,引起輸出電壓 vo突然轉態的輸入電 壓 vI狀態為何? (A)vI < -5 V (B)vI > +5 V (C)vI > -5 V (D)vI < +5 V
#1719244