【站僕】摩檸Morning>試卷(2017/12/15)

初等/五等/佐級◆電子學大意題庫 下載題庫

106 年 - 106 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#67133 

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1.1 一幾何比 W/L、爾利電壓(Early voltage)皆固定的場效電晶體(FET),當過驅電壓 VOV(Overdrive Voltage)變為原來的 2 倍,則本質增益(Intrinsic Gain)將變為原來的:
(A)0.25 倍
(B)0.5 倍
(C)2 倍
(D)4 倍


2.2 對於場效電晶體(FET),下列敘述何者錯誤?
(A)是屬於電壓控制的元件
(B)所有類型的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)都需外加閘極電壓才會有通道存在
(C)接面場效電晶體(JFET)不需外加閘極電壓就已經有通道存在
(D)閘極(Gate)與源極(Source)間的直流電阻相當高


3.重新載圖

3 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度, 此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V, VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流(Channel current)的主要流動方向? phpMTyK4X
(A)由右向左水平流動
(B)由左向右水平流動
(C)由上往下垂直流動
(D)由下往上垂直流動



4.4 有關新一代半導體科技技術的發展,下列何者敘述較不符合目前的發展趨勢?
(A)電晶體元件(device)的尺寸越來越小
(B)積體電路(IC)使用的電源越來越低
(C)採用的初始晶圓(wafer)越來越薄
(D)單一晶片(chip)的電路密度越來越高


5.5 將一個 n-通道增強型 MOSFET 操作在飽和區時,下列何者正確?
(A)閘極的電壓不得比源極電壓高一個臨界電壓(threshold voltage)
(B)閘極對源極的電壓應為負值
(C)閘極的電壓不得比汲極電壓高一個臨界電壓(threshold voltage)
(D)通道電流由源極流向汲極


6.6 對於一個 PN 接面二極體在順偏(forward bias)的條件下,下列何者正確?
(A)P 側的電位較 N 側的電位為低
(B)電流的方向為由 P 側流向 N 側
(C)接面空乏區(depletion region)內的電場會因加入順偏電壓而擴大
(D)因為有電流流通,故沒有電容效應


7.7 關於 CMOS 反相器(inverter)功率消耗的敘述,下列何者錯誤?
(A)CMOS 反相器的靜態功率消耗(static power dissipation)幾乎為零
(B)CMOS 反相器要減少功率消耗應降低輸出端的負載電容效應
(C)CMOS 反相器的動態功率消耗(dynamic power dissipation)會隨輸入電壓 Vi頻率的增加而增大
(D)CMOS 反相器的動態功率消耗隨電源 VDD值成正比例的增加 


8.8 有一 n 通道的 MOS 電晶體,其 μnCox = 50 μA/V2 ,VT,on = 1.0 V,λn =(0.1/L)V-1 ,其中 L 的單位為 μm, 若 W = 10 μm,L = 10 μm,VDS = 4 V,試求欲使 gm = 50 μA/V,則 VGS應為多少?
(A)5 V
(B)4 V
(C)3 V
(D)2 V


9.9 一個運算放大器,若 V+ = +10 mV 而 V- = -10 mV,那共模輸入電壓(Common-mode input voltage) 為:
(A)0 mV
(B)+10 mV
(C)+20 mV
(D)-20 mV


10.重新載圖

10 如圖所示電路,U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電阻 R1 = 1 kΩ、R2 = 2 kΩ、R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當 vI = 3 V 時,下列敘述何者正確? phpbmycaH
(A)D1 導通、D2 不導通
(B)D1、D2 都導通
(C)D1、D2 都不導通
(D)D1 不導通、D2 導通



11.重新載圖

11 如圖所示電路,Ao = 105 ,求此電路之閉迴路電壓增益約為何? phpSGK1XI
(A)1
(B)100
(C)1000
(D)100000



12.12 vi(t) = 50sin(377t) volt 的輸入信號分別經中間抽頭型變壓器及橋式全波整流電路整流後,流過負載之 電壓信號頻率分別為 fo1及 fo2,則(fo1+fo2)為多少 Hz?
(A)1131 Hz
(B)754 Hz
(C)240 Hz
(D)180 Hz


13.重新載圖

13 理想變壓器中負載電阻為 R2 = 2 Ω 如圖,測得輸入等效電阻 R1 = 8 Ω,則次級電壓(V2)、初級電流 /次級電流比(I1/I2)及線圈匝數比(N1:N2)等有關之敘述,何者正確?  
(A)V2 = 2 V1, I1/I2 = 2/1
(B)V2 = 16 V, N1:N2 = 1:2
(C)I1/I2 = 2/1, V2 = 4 V
(D)N1:N2 = 2:1, I1/I2 = 1/2



14.重新載圖

14 橋式整流電路中,理想二極體之逆向峰值電壓(PIV)為電源峰值的多少倍?
(A)3
(B)2
(C) phpTFSj5u
(D)1



15.重新載圖

15 如下圖所示,若輸入電壓 Vi = 20 V 且稽納二極體的 VZ = 10 V,則輸出 Vo為: phpRQCcEj
(A)20 V
(B)13.3 V
(C)10 V
(D)8 V



16.重新載圖

16 下圖整流電路中,當變壓器一次側之輸入電壓 vi為振幅 110 V 的正弦波且 C 值很大時,則輸出電壓 Vo約為: phpmRFU59
(A)5.5 V
(B)11 V
(C)22 V
(D)44 V



17.重新載圖

17 下圖為全波整流器。輸入信號為弦波,vs(t) = 5sin10t 伏特,各二極體 D1~D4 之導通電壓皆為 0.7 V, 導通電阻為 0 Ω。則輸出 vo(t)之最大值為何? phpEUCeEe
(A)5 V
(B)4.3 V
(C)3.6 V
(D)2.5 V



18.重新載圖

18 下圖為一整流器,若二極體之導通電壓為 0 V,導通電阻為 0 Ω,輸入信號為弦波 vi(t) = 5sin(10πt) V, 若輸出 vo漣波電壓<0.1 V,R = 100 kΩ,則電容 C 之最小值為何? php2n0Skv
(A)1 μF
(B)10 μF
(C)100 μF
(D)1000 μF



19.重新載圖

19 下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V,導通電阻為 0 Ω。電容 C 兩端之初始跨壓為 0 V,則其穩 態跨壓 vC為何? phpTICYzg
(A)6 V
(B)3.3 V
(C)2.7 V
(D)1.3 V 



20.重新載圖

20 下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V,導通電阻為 0 Ω,輸入信號為弦波 vi(t) = 5sin10t 伏特, R1,R2,R3 皆為 10 Ω,則電阻 R1 之最大電流值為何? phpl738gk
(A)530 mA
(B)330 mA
(C)165 mA
(D)115 mA



21.重新載圖

21 關於圖(a)與(b)電路之敘述,若二極體為理想,Vp1 與 Vp2 為 Vo1 與 Vo2 之峰值電壓,下列何者正 確? phplKSZgi
(A)Vp1 = 5 V,Vp2 = -5 V
(B)Vp1 = 5 V,Vp2 = 5 V
(C)Vp1 = -5 V,Vp2 = 5 V
(D)Vp1 = -5 V,Vp2 = -5 V



22.22 下列有關雙極性電晶體(BJT)偏壓電路之共射極(CE)組態放大器的特性敘述,何者正確?
(A)電流增益 α>1,同相放大
(B)電流增益 α>1,反相放大
(C)電流增益 β>1,同相放大
(D)電流增益 β>1,反相放大


23.重新載圖

23 圖中電晶體 M1 與 M2 之寬長比為(W/L)1:(W/L)2 = 4:1,臨界電壓(VT)皆為 0.8 V,若 Vol = 1 V, 則 Vo2 =? phpcfRt8b
(A)0.8 V
(B)0.9 V
(C)1 V
(D)1.2 V



24.重新載圖

24 圖中為雙載子電晶體放大器之等效模型,輸入為 vs,輸出為 vo。關於本放大器的敘述下列何者正確? phpGrkdX4
(A)為共基級放大器
(B)RL越大則輸入阻抗越小
(C)RL越大則增益越大
(D) |vo/vs|>1 



25.重新載圖

25 具有臨界電壓 Vth = 1.5 V 且 μnCox(W/L) = 1 mA/V2的增強型 MOSFET 放大器中,電晶體的輸出直流 電壓為 VDSQ = 5 V,直流電源 VGG約為多少? phpiPqxrS
(A)2.5 V
(B)3.5 V
(C)5 V
(D)5.5 V



26.重新載圖

26 臨界電壓 Vth = 1.5 V 的增強型 MOSFET 所構成如圖之放大器中,流經 R2 = 50 kΩ 及 1.5 kΩ 的直流偏 壓電流分別為 0.15 mA 及 4 mA,該放大器的小信號電壓增益為何? phpxAC3fL
(A)-100
(B)-50
(C)-20
(D)-6



27.27 下列何者並非使用差動對放大器的好處?
(A)可降低外界的雜訊干擾
(B)可減少偏壓電路所需之大電容及大電阻
(C)適合於積體電路的應用
(D)可減少電路所需的電晶體數目


28.重新載圖

28 如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式(Saturation mode)之 π 型小訊號等效電路,其中參數轉導 gm與 汲極電流 ID的關係約為: phplWi8zf
(A)gm正比於 1/ID
(B)gm正比於1/ phpUPD3LF
(C)gm正比於 phpttdmJB
(D)gm正比於 ID 



29.29 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源極(CS)放大器,該 MOSFET 之臨界電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS = 2 V 時,求使此電晶體仍工作於飽和區之 VDS最小值為何?
(A)0.5 V
(B)1 V
(C)1.5 V
(D)2 V


30.重新載圖

30 如圖示電路,VCC = +10 V,RB1 = 200 kΩ,RB2 = 200 kΩ,RC = 5 kΩ,RE = 1 kΩ,電晶體電流放大 率 β = 100,則此電晶體工作在: phpNWaOSA
(A)截止區
(B)主動區(active region)
(C)飽和區(saturation region)
(D)逆向主動區(reverse active region)



31.重新載圖

31 如圖所示為一波形產生電路,該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器 C 處於放電狀態, 則在此瞬時間,下列那一敘述為正確?其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 12 V。
(A)vO = 12 V
(B)Vf = -4 V
(C)vC = 6 V
(D)iR = 1.2 mA phphBHyvr



32.重新載圖

32 三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示,並且測得其輸出頻率為 f,則下列那一種組合的 改變可使其輸出頻率為原來的 4 倍=4f?兩 OPA 可視為理想。
(A)R1增為 2 倍、R2增為 2 倍
(B)R 減半、R1減半
(C)C 減半、R2減半
(D)C 減為四分之一、R 增為 2 倍 phpWnq85m



33.重新載圖

33 由 β1 = 80 及 β2 = 100 的電晶體 Q1 及 Q2 所構成 RC 串級放大電路如圖,第 1、第 2 單級放大電路的 基極直流偏壓電流 IB1 與 IB2均為 25 μA,且測得 Ri2 = 4 kΩ,決定該串級放大電路的總電壓增益大小 約為多少?熱電壓 VT = 25 mV。
(A)64
(B)80
(C)124
(D)160 phphi01Sw



34.重新載圖

34 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的 β = 100,VBEactive = 0.7 V,忽略爾利效應。VT = 25 mV, 求低頻 3 dB 頻率(選最接近之值)? phpFPr86G
(A)15.9 Hz
(B)100 Hz
(C)3.18 kHz
(D)20 kHz



35.重新載圖

35 如圖雙穩態電路,其 R1 = 10 kΩ 且 R2 = 20 kΩ,若在 t =0 時輸出電壓 vo 飽和在-10 V;當在 t>0 時, 輸出電壓 vo突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V;試問在 t > 0 時,引起輸出電壓 vo突然轉態的輸入電 壓 vI狀態為何? phpmMsKHd
(A)vI < -5 V
(B)vI > +5 V
(C)vI > -5 V
(D)vI < +5 V



36.重新載圖

36 有一放大器電路的轉移函數(Transfer function)F(s)=VO(s)/VI(s)如下所示,其中 s=jω=j2πf: phpHdOG9C ,今製作相角∠F(s)的波德曲線圖(Bode plot),欲估計在頻率 f = 3 kHz 時的相 角,下列何者正確?
(A)大於 60°
(B)落於 30°至 60°之間
(C)落於-30°至 30°之間
(D)小於-30° 



37.重新載圖

37 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,IC = 0.838 mA,VT = 26 mV,β = 100,Cπ = 24 pF, Cμ = 3 pF,忽略爾利(Early)與所有其他電容效應,求相關於輸出端之 3 dB 頻率為何? phpNJYzDd
(A)28.4 MHz
(B)38.4 MHz
(C)48.4 MHz
(D)58.4 MHz



38.重新載圖

38 如圖之電路,L1 = L2 = 1 mH,C = 30 pF,若不考慮 R1對回授網路之負載效應,振盪發生時其振盪頻 率為何? phpq7dnCZ
(A)0.65 MHz
(B)0.85 MHz
(C)1.05 MHz
(D)1.25 MHz



39.39 矽二極體逆向偏壓時,在電路上會有一個等效並聯寄生電容 Cj ,這個電容的主要電荷來自下列何者?
(A)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的載子
(B)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的摻雜雜質
(C)P 型 N 型半導體接合面中性區內部的載子
(D)P 型 N 型半導體接合面中性區內部的摻雜雜質


40.40 雙極性接面電晶體(BJT)固定偏壓電路加入射極電阻後,可提高工作點穩定度,這是一種:
(A)正回授
(B)負回授
(C)集極回授
(D)不具回授的作用


懸賞詳解

國一數學上第三次

25. 海綿寶寶、章魚哥和派大星各自帶錢一起去買美味蟹 堡,每人各買一份,已知三人總共有 348 元,買完美味 蟹堡後,海綿寶寶身上剩下原有的四分...

50 x

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